差動アンプの電圧ゲインについて (6)

   

FET単体の電圧ゲインAは

A=(ΔId/ΔVgs)×RL—1式

非反転入力にΔVgsの入力電圧があったと仮定すると、
S1の電位はΔVgs上がり
ΔIdのドレイン電流が流れるが、

2つのFETのトータルの電流は一定になるように定電流源で規定されているので、
反転入力側のFETの電流はΔIdだけ減る、
すると反転入力側のS2はΔVgsだけ下がる。

ここで、非反転側のS1から反転側のS2を見ると、
2ΔVgsの電位差になっている。

これを1式のΔVgsに代入すると電圧ゲインはA/2になっていることが分かる。

d237448cc60f8fe1cf401e1d049232563eee4b6b.13.2.9.2.jpg

この数十年のハイテックな電子技術の推移を見ていると、
こういった回路技術が基礎になって、
規模が増大し、ブロック化されて積み上がり、より高速動作する、、
という流れになってはいるが、
基本はなにも変わりません。

こういう技術が必要なのか?と思われる向きもあるようですが、
実際に作ることができるレベルにならないと、
真っ先に口先だけで食べていける(た?)職業から「人間いらね?のAI」に呑み込まれ、消えていくでしょうw

 - オーディオ, ドクターのつれづれ。